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低维度宽禁带Ga2O3最新研究进展
日期:2020-04-26 10:09 点击量:

       第三代宽禁带半导体 β-Ga2O3具有大的带隙(~4.8 eV),高的击穿场强(~8 MV/cm),超高的巴利加优值等优异性质,而且在高功率、低功耗等器件方面呈现显著的优势。但是低的热导率、不易实现有效p型等特点也限制了β-Ga2O3的应用。为了改善β-Ga2O3的性质,促进β-Ga2O3的应用,我校郝跃院士团队的常晶晶教授等人提出降低β-Ga2O3维度的思路。研究团队利用第一性原理和分子动力学方法获得了β-Ga2O3各晶面的能量和剥离能,预测了具有稳定结构的二维Ga2O3(如图1)。并且发现降低β-Ga2O3的维度显著增强量子效应,改变了带边的电子结构,从而使得电子迁移率提高一到两个数量级,同时使禁带宽度随着二维结构的厚度减小而增大,单层Ga2O3的带隙值可达到6.42 eV。值得注意的是,与β-Ga2O3类似,二维结构的Ga2O3也依然呈现弱的间接带隙(The Journal of Physical Chemistry C 2018, 122, 24592-24599)。

图1. 二维Ga2O3的(a)几何结构示意图和(b)电子结构图

 
       另外,通过结构和热力学研究发现,降低维度并没有改变β-Ga2O3的弹性模型的个数,即保持单斜晶系特征。但是形成二维结构的Ga2O3会减弱Ga-O键的离子强度从而改善了β-Ga2O3的热导率,单层Ga2O3的热导率可达0.49 W·cm−1·K−1。值得注意的是,降低β-Ga2O3的维度虽然会显著增加β-Ga2O3的杨氏模量的各向异性(图2c-d),但同时也使得β-Ga2O3的体模量显著减小,单层的Ga2O3体模量甚至低于一般层状二维材料。这意味着利用低维度的β-Ga2O3容易被应力调控且有潜力实现柔性器件(Materials & Design, 2019, 184, 108197)。

图2. 二维Ga2O3的(a)体模量、热导率和(b)弹性常数,(c)β-Ga2O3和(d)二维Ga2O3的杨氏模量三维图

 
       为了进一步探索二维结构Ga2O3的应用潜力,通过施加单轴拉伸应变可以实现间接带隙向直接带隙的转变,同时伴随着带隙的减小。但无论是拉伸应变还是压缩应变都可以进一步改善其电子迁移率。当对二维结构Ga2O3施加外加垂直电场(E-field),E-field<0.5 eV /Å时,带隙值随着电场强度增大缓慢减小,但电子有效质量和各向异性保持不变;当E-field>0.5 eV /Å时,电子有效质量和带隙都显著减小,且输运各向异性消失(Advanced Theory and Simulations,2019, 2(9), 1900106)。

图3.单轴应变下二维Ga2O3的迁移率和外加电场下二维Ga2O3的电子有效质量

 
       实现有效p型Ga2O3是大规模利用β-Ga2O3的前提,而传统的缺电子掺杂技术获得的p型β-Ga2O3具有深的受主能级(>1.3 eV)。研究团队利用二维结构表面悬挂键卤素钝化技术,发现Cl钝化既可实现有效的p型导电特性,也能够同时增强电子和空穴的迁移率;而F钝化会在带隙中引入明显的杂质态增加电荷散射,降低电荷输运能力。这是因为Cl表面钝化向Ga2O3提供电子,而电子亲和势大的F向Ga2O3提供空穴降低了价带轨道的能量。本方法为实现高效p型β-Ga2O3薄膜提供了新思路(Materials Today Physics, 2020, doi: 10.1016/j.mtphys.2020.100192)。

 
图4. 卤素(F,Cl)钝化二维Ga2O3的能带图

      以上研究得到了国家自然科学基金,陕西省自然科学基金,科技部重点研发计划,国家高层次人才支持计划,中国科协青年人才托举工程等项目的资助。常晶晶教授近几年针对有机/氧化物柔性印刷电子,低维氧化物半导体,钙钛矿光电能源转换器件等做了大量的工作,在Advanced Materials、Journal of the American Chemical Society、AngewandteChemie International Edition、Advanced Energy Materials、ACS Energy Letters、Advanced Science、Chemical Science、Advanced Electronic Materials、Nano Energy等国际权威期刊上发表SCI论文140余篇,其中第一作者/通讯作者80余篇,授权新加坡/美国/中国专利5项,申请中国专利20余项,主持参与国家自然科学基金等20余项。担任Springer-Nature出版社Journal of Materials Science-Materials in Electronics客座编辑,中国真空学会电子材料与器件专委会副秘书长。入选2018年福布斯中国教育领域30岁以下精英榜单,2018年科学中国人年度人物电子工程领域提名人等。